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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的景产更多逻辑集成到芯片内部,
在2029至2031年,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,所以应该是GDDR7的升级版,HBM5E以及其定制版本,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,并不是GDDR8,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND方面,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。
在2026至2028年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
DRAM市场方面,
NAND方面,